Toshiba ve Sandisk işbirliğinin yeni 300 mm NAND flash üretim tesisi (Fab 4) tamamlandı. Fab 3'ün genişletilmesine ek olarak kapasiteyi daha da artırmak için yapılan tesisin inşası geçen yıl başlamıştı. Tesis, Toshiba'nın Japonya'daki bir merkezinde bulunuyor. İlk etapta 56 nm teknolojisiyle yapılacak üretim, 2008 Mart ayında 43 nanometreye kaydırılacak. Üretim başlangıcı 2007 sonu olarak planlanıyor ve 2008'in ikinci yarısında aylık 80.000 "wafer" üretim kapasitesi öngörülüyor. Bu üretim kapasitesi gelecekte aylık 210.000 üniteye kadar genişletilebilecek.

Resim kaynağı: BusinessWire 

Tesisin finansmanı Toshiba'dan gelirken, gelişmiş üretim araçları %50.1 Toshiba, %49.9 Sandisk ortaklığı olan "Flash Alliance Ltd" tarafından sağlanıyor.